SQJ208EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQJ208EP-T1_GE3
SQJ208EP-T1_GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SQJ208EP-T1_GE3

Na stanie magazynowym: 71 137

Stany magazynowe:
71 137 Wysylamy natychmiast
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
8,64 zł 8,64 zł
5,20 zł 52,00 zł
3,99 zł 399,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
3,69 zł 11 070,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8-4
N-Channel
2 Channel
40 V
20 A, 60 A
9.4 mOhms, 3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V, 1.4 V
33 nC, 75 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W
Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay / Siliconix
Konfiguracja: Dual
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Czas zanikania: 25 ns, 57 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 32 S, 51 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 4 ns, 5 ns
Seria: SQJ
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 24 ns, 35 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 10 ns, 14 ns
Jednostka masy: 506,600 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SQJ2x Dual N-Channel Auto MOSFETs

Vishay SQJ2x Dual N-Channel Auto MOSFETs are AEC-Q101-qualified modules that are part of the TrenchFET® power MOSFET series. The SQJ2x devices are housed in SO-8L packages with an operating junction and storage temperature range of -55°C to +175°C. The SQJ200 series has a drain-source voltage of 20VDS while the SQJ202 and SQJ204 have a 12VDS drain-source voltage. The SQJ200 and SQJ202 modules provide 20VGS gate to source voltage and the SQJ204 series offers 12VGS. The SQJ244 and SQJ208 MOSFETs offer 40VDS and ±20VGS. The SQJ260, SQJ262, and SQJ264 MOSFETs provide 60VDS and ±20VGS. Applications for Vishay SQJ2x Dual N-Channel Auto MOSFETs include e-bikes, infotainment, cameras, and radars.

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET® Gen IV N-Channel 40VDS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Qgd/Qgs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low RDS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.