SQJ116EP-T1_GE3 Układy MOSFET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Vishay MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
Karta charakterystyki
320Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 25.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 37 A 3 mOhms 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Układy MOSFET
Karta charakterystyki
N/A
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 278 A 3 mOhms 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement