SQJ110EP-T1_GE3 Układy MOSFET

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Opakowanie
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
Karta charakterystyki
17 759Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 500 W Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Układy MOSFET SOT669 100V 170A P-CH MOSFET
Karta charakterystyki
N/A

Si
Vishay Układy MOSFET SOT669 100V 170A P-CH MOSFET
Karta charakterystyki
N/A

Si