Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SMUN5213DW1T1G

Name: onsemi SMUN5213DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-SMUN5213DW1T1G
Price: 0.99 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-SMUN5213DW1T1G

Nr prod.:

SMUN5213DW1T1G

Produc.:

onsemi

Opis:

Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V

Karta charakterystyki:

SMUN5213DW1T1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi SMUN5213DW1T1G

Na stanie magazynowym: 19 491

Stany magazynowe:: 19 491 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 42 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	0,998 zł	1,00 zł
	0,611 zł	6,11 zł
	0,378 zł	37,80 zł
	0,28 zł	140,00 zł
	0,249 zł	249,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,202 zł	606,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory cyfrowe
RoHS:
Konfiguracja:	Dual
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Typowy rezystor wejścia:	47 kOhms
Typowy współczynnik oporności:	1
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-363-6
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	80
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	50 V
Ciągły prąd kolektora:	100 mA
Pd – strata mocy:	250 mW
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	MUN5213DW1
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Zakres temperatury roboczej:	- 55 C to + 150 C
Rodzaj produktu:	Digital Transistors
Kwalifikacje:	AEC-Q100
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	6,200 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SMUN5213DW1T1G Karta charakterystyki

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Dual NPN Bipolar Digital Transistors

onsemi Dual NPN Bipolar Digital Transistors are designed to replace a single device and the additional external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors (a series base resistor and a base-emitter resistor). By integrating these individual components into a single device, the BRT on these onsemi NPN Bipolar Digital Transistors simplifies circuit design and eliminates them. A BRT also reduces system cost and board space.