Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SISF02DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF02DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF02DN-T1-GE3
Price: 8.6 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SISF02DN-T1-GE3

Nr prod.:

SISF02DN-T1-GE3

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

MOSFETs PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

Karta charakterystyki:

SISF02DN-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SISF02DN-T1-GE3

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 3 580

Oczekiwane: 19.02.2026
Średni czas produkcji:: 9

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,60 zł	8,60 zł
	5,12 zł	51,20 zł
	3,81 zł	381,00 zł
Komplet Opakowanie Ammo (zamówienie w wielokrotności 3000)
	3,23 zł	9 690,00 zł
	2,43 zł	14 580,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK-1212-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	40 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.15 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 16 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.1 V
Qg – ładunek bramki:	51 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	52 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerPAK
Opakowanie:	Ammo Pack
Marka:	Vishay Semiconductors
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	10 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	105 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	17 ns
Seria:	SISF
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	25 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	24 ns
Jednostka masy:	1 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SISF02DN-T1-GE3 Karta charakterystyki

Application Notes

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.