Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIDR608EP-T1-RE3

Name: Vishay SIDR608EP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIDR608EP-T1-RE3
Price: 11.83 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIDR608EP-T1-RE3

Nr prod.:

SIDR608EP-T1-RE3

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET

Karta charakterystyki:

SIDR608EP-T1-RE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SIDR608EP-T1-RE3

Na stanie magazynowym: 11 400

Stany magazynowe:: 11 400 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 11400 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	11,83 zł	11,83 zł
	8,08 zł	80,80 zł
	5,63 zł	563,00 zł
	4,86 zł	2 430,00 zł
	4,64 zł	4 640,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	4,09 zł	12 270,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK SO-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	228 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.36 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 16 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.3 V
Qg – ładunek bramki:	167 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	125 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay Semiconductors
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	25 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	120 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	86 ns
Seria:	SIDR
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	52 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIDR608EP-T1-RE3 Karta charakterystyki

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

N-kanałowe tranzystory MOSFET 30-45 V (D-S)

N-kanałowe tranzystory MOSFET 30-45 V (D-S) firmy Vishay to tranzystory mocy TrenchFET® Gen IV o bardzo niskiej wartości balansu rezystancji drenu RDS i ładunku bramki Qg (FOM). Urządzenia są dostrojone do najniższego RDS - Qoss FOM z systemem chłodzenia top-side, który zapewnia dodatkowe miejsce dla wymiany ciepła. Tranzystory MOSFET są w pełni testowane na oporność bramki Rg i przełączanie UIS.