SI8823EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8823EDB-T2-E1
SI8823EDB-T2-E1

Produc.:

Opis:
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SI8823EDB-T2-E1

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
2 186
Oczekiwane: 24.03.2026
15 000
Oczekiwane: 31.03.2026
Średni czas produkcji:
12
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
2,00 zł 2,00 zł
1,25 zł 12,50 zł
0,804 zł 80,40 zł
0,602 zł 301,00 zł
0,542 zł 542,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,439 zł 1 317,00 zł
0,409 zł 2 454,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-4
P-Channel
1 Channel
20 V
2.7 A
77 mOhms
- 8 V, 8 V
800 mV
17 nC
- 55 C
+ 150 C
900 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay Semiconductors
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: US
Czas zanikania: 40 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 6 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 30 ns
Seria: SI8
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 60 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 16 ns
Jednostka masy: 45,104 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Models

Technical Resources

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs feature the industry's first n- and p-channel power MOSFET in the industry's smallest 0.8 mm by 0.8 mm chip-scale package, in addition to the first n- and p-channel devices to offer on-resistance (RDS(on)) ratings down to 1.2 V in this package size. The Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs come in the MICRO FOOT® package that occupies up to 36 % less board space than the next smallest chip-scale devices, yet offer comparable − and even lower − on-resistance (RDS(on)).

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.