SI8489EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8489EDB-T2-E1
SI8489EDB-T2-E1

Produc.:

Opis:
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SI8489EDB-T2-E1

Na stanie magazynowym: 8 882

Stany magazynowe:
8 882 Wysylamy natychmiast
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
2,66 zł 2,66 zł
1,63 zł 16,30 zł
1,07 zł 107,00 zł
0,817 zł 408,50 zł
0,722 zł 722,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,563 zł 1 689,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-4
P-Channel
1 Channel
20 V
5.4 A
36 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
1.8 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay Semiconductors
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Czas zanikania: 25 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 10 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 20 ns
Seria: SI8
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 27 ns
Jednostka masy: 99 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.