Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SI7812DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7812DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7812DN-T1-GE3
Price: 10.41 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

781-SI7812DN-T1-GE3

Nr prod.:

SI7812DN-T1-GE3

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

MOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Karta charakterystyki:

SI7812DN-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SI7812DN-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 44 856

Stany magazynowe:: 44 856 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	10,41 zł	10,41 zł
	6,75 zł	67,50 zł
	4,64 zł	464,00 zł
	3,81 zł	1 905,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	3,54 zł	10 620,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK-1212-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	75 V
Id – Ciągły prąd drenu:	16 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	37 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	16 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	52 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay Semiconductors
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	50 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	23 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	130 ns
Seria:	SI7
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	35 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	20 ns
Nazwy umowne nr części:	SI7812DN-GE3
Jednostka masy:	1 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SI7812DN-T1-GE3 Karta charakterystyki

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SI78 N-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductors SI78 N-Channel (D-S) MOSFETs are available in a new low thermal resistance PowerPAK^® package with a low 1.07mm profile. These N-Channel (D-S) MOSFETs are PWM optimized, 100% R_g tested, halogen-free, and RoHS compliant. The SI78 MOSFETs are used in DC/DC converters, primary side switches for DC/DC applications, and synchronous rectifiers.