Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SI7370ADP-T1-GE3

Name: Vishay SI7370ADP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7370ADP-GE3
Price: 10.71 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

781-SI7370ADP-GE3

Nr prod.:

SI7370ADP-T1-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V

Karta charakterystyki:

SI7370ADP-T1-GE3 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SI7370ADP-T1-GE3

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	10,71 zł	10,71 zł
	6,97 zł	69,70 zł
	5,12 zł	512,00 zł
	4,29 zł	2 145,00 zł
	4,07 zł	4 070,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	3,47 zł	10 410,00 zł
	3,45 zł	20 700,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK-1212-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	50 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	57 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	8.4 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	69.4 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	20 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	12 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	9 ns
Seria:	SI7
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	40 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	20 ns
Nazwy umowne nr części:	SI7370ADP-GE3
Jednostka masy:	540 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SI7370ADP-T1-GE3 Karta charakterystyki (PDF)

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

SI73 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Semiconductors SI73 TrenchFET^® Power MOSFETs are available in a new low thermal resistance PowerPAK^® package with a low 1.07mm profile. The TrenchFET^® Power MOSFETs are 100% R_g/UIS tested and halogen-free. These SI73 power MOSFETs are ideally used in DC/DC converters.