Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SI7135DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7135DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7135DP-T1-GE3
Price: 9.37 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

781-SI7135DP-T1-GE3

Nr prod.:

SI7135DP-T1-GE3

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Karta charakterystyki:

SI7135DP-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SI7135DP-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 9 183

Stany magazynowe:: 9 183 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	9,37 zł	9,37 zł
	6,15 zł	61,50 zł
	4,43 zł	443,00 zł
	3,84 zł	1 920,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	3,46 zł	10 380,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK-SO-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	60 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.9 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	167 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	104 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay Semiconductors
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	50 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	95 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	100 ns
Seria:	SI7
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	110 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	110 ns
Nazwy umowne nr części:	SI7135DP-GE3
Jednostka masy:	506,600 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SI7135DP-T1-GE3 Karta charakterystyki

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.

Si71 MOSFETs

Vishay Si71 MOSFETs feature TrenchFET® Gen III Power MOSFET technology in low thermal resistance PowerPAK® 1212-8 and PowerPak SO-8 packages. The MOSFETs are 100% Rg and UIS tested, ensuring reliability and performance. The N- and P-channel MOSFETs are halogen-free under the IEC 61249-2-21 definition. These compact MOSFETs are ideal for applications where space and thermal management are critical.