SCT4036DWAHRTL

ROHM Semiconductor
755-SCT4036DWAHRTL
SCT4036DWAHRTL

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 700

Stany magazynowe:
700 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
42,74 zł 42,74 zł
30,06 zł 300,60 zł
25,59 zł 2 559,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
21,76 zł 21 760,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
ROHM Semiconductor
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
SMD/SMT
TO-263-7LA
N-Channel
1 Channel
750 V
38 A
47 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
72 nC
+ 175 C
115 W
Enhancement
AEC-Q101
Marka: ROHM Semiconductor
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 12 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 10 S
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Opakowanie: MouseReel
Produkt: Power MOSFETs
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 21 ns
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Rodzaj: SiC Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 36 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 6.5 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.