Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SCT4036DEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4036DEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036DEC11
Price: 49.49 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-SCT4036DEC11

Nr prod.:

SCT4036DEC11

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

SiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

SCT4036DEC11 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor SCT4036DEC11

Na stanie magazynowym: 450

Stany magazynowe:: 450 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	49,49 zł	49,49 zł
	30,01 zł	300,10 zł
	25,89 zł	2 589,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247N-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	750 V
Id – Ciągły prąd drenu:	42 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	47 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 4 V, + 21 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.8 V
Qg – ładunek bramki:	72 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	136 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	11 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	10 S
Opakowanie:	Tube
Produkt:	Power MOSFETs
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	22 ns
Wielkość opakowania producenta:	450
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	SiC Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	28 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	13 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SCT4036DEC11 Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.