Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SCT4026DEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4026DEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4026DEC11
Price: 73.27 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-SCT4026DEC11

Nr prod.:

SCT4026DEC11

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

SiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC

Karta charakterystyki:

SCT4026DEC11 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor SCT4026DEC11

Na stanie magazynowym: 635

Stany magazynowe:: 635 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 635 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	73,27 zł	73,27 zł
	45,84 zł	458,40 zł
	45,71 zł	4 571,00 zł
	45,62 zł	20 529,00 zł
	45,58 zł	41 022,00 zł
10 350	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247N-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	750 V
Id – Ciągły prąd drenu:	56 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	26 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 4 V, + 21 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.8 V
Qg – ładunek bramki:	94 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	176 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	16 nC
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	16 S
Opakowanie:	Tube
Produkt:	MOSFET's
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	39 nC
Wielkość opakowania producenta:	450
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	44 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	10 ns
Nazwy umowne nr części:	SCT4026DE

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SCT4026DEC11 Karta charakterystyki

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.