Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SCT4020DLLTRDC

Name: ROHM Semiconductor SCT4020DLLTRDC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4020DLLTRDC
Price: 88.41 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-SCT4020DLLTRDC

Nr prod.:

SCT4020DLLTRDC

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

SiC MOSFETs TOLL 750V 80A SIC

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

SCT4020DLLTRDC Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor SCT4020DLLTRDC

Na stanie magazynowym: 500

Stany magazynowe:: 500 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	88,41 zł	88,41 zł
	72,33 zł	723,30 zł
	66,52 zł	6 652,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	61,58 zł	123 160,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TOLL-9
Polaryzacja tranzystora:	N Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	750 V
Id – Ciągły prąd drenu:	80 A
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.8 V
Qg – ładunek bramki:	123 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 V
Pd – strata mocy:	277 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	14 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	19 S
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFET
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	26 ns
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	14 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	53 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SCT4020DLLTRDC Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.