SCT016H120G3AG

STMicroelectronics
511-SCT016H120G3AG
SCT016H120G3AG

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Dokończ swój projekt

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o STMicroelectronics SCT016H120G3AG

Na stanie magazynowym: 882

Stany magazynowe:
882 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
86,26 zł 86,26 zł
62,35 zł 623,50 zł
62,31 zł 6 231,00 zł
62,22 zł 31 110,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
52,89 zł 52 890,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
112 A
22 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
150 nC
- 55 C
+ 175 C
652 W
Enhancement
AEC-Q101
Marka: STMicroelectronics
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 23 ns
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Opakowanie: MouseReel
Produkt: SiC MOSFETS
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 22 ns
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 126 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 46 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Motoryzacyjne tranzystory mocy MOSFET na bazie węglika krzemu

Motoryzacyjne tranzystory MOSFET  na bazie węglika krzemu zostały opracowywane przy użyciu zaawansowanej i innowacyjnej technologii  SiC MOSFET drugiej i trzeciej generacji firmy  STMicroelectronics. Urządzenia te  charakteryzują się niską rezystancją włączenia na jednostkę powierzchni i bardzo dobrą wydajnością  przełączania. Tranzystory MOSFET charakteryzują się bardzo wysoką temperaturą roboczą (TJ = 200°C) oraz bardzo szybką i wytrzymałą diodą wewnętrzną.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.