Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SCS220AE2HRC11

Name: ROHM Semiconductor SCS220AE2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS220AE2HRC11
Price: 36.94 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-SCS220AE2HRC11

Nr prod.:

SCS220AE2HRC11

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

SiC Schottky Diodes AECQ

Karta charakterystyki:

SCS220AE2HRC11 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor SCS220AE2HRC11

Na stanie magazynowym: 1 924

Stany magazynowe:: 1 924 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 21 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	36,94 zł	36,94 zł
	21,76 zł	217,60 zł
	19,39 zł	1 939,00 zł
	18,62 zł	8 379,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247N-3
Konfiguracja:	Dual
If – prąd przewodzenia diody:	20 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	650 V
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.55 V
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	76 A
Ir – Prąd wsteczny:	200 uA
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Tube
Marka:	ROHM Semiconductor
Pd – strata mocy:	160 W
Rodzaj produktu:	SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta:	450
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr – napięcie wsteczne:	650 V
Nazwy umowne nr części:	SCS220AE2HR

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SCS220AE2HRC11 Karta charakterystyki (PDF)

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.