Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SCS206AGC17

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-SCS206AGC17

Nr prod.:

SCS206AGC17

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

SCS206AGC17 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor SCS206AGC17

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Cennik (PLN)

Wnioskuj o ofertę wyceny

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220ACG-2
Konfiguracja:	Single
If – prąd przewodzenia diody:	6 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	650 V
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.55 V
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	23 A
Ir – Prąd wsteczny:	120 uA
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	ROHM Semiconductor
Pd – strata mocy:	51 W
Rodzaj produktu:	SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr – napięcie wsteczne:	650 V
Nazwy umowne nr części:	SCS206AG

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SCS206AGC17 Karta charakterystyki (PDF)

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (Q_C), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.