Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SBR1045SD1-T

Name: Diodes Incorporated SBR1045SD1-T
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBR1045SD1-T
Price: 2.7 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-SBR1045SD1-T

Nr prod.:

SBR1045SD1-T

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

Schottky Diodes & Rectifiers 10A SBR 45V VRRM 32V Vr 10A 180 IFSM

Karta charakterystyki:

SBR1045SD1-T Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated SBR1045SD1-T

Na stanie magazynowym: 3 206

Stany magazynowe:: 3 206 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2,70 zł	2,70 zł
	1,98 zł	19,80 zł
	1,60 zł	160,00 zł
	1,24 zł	620,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1200)
	0,925 zł	1 110,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Prostowniki i diody Schottky'ego
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	Schottky Rectifiers
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	DO-201AD-2
Konfiguracja:	Single
Technologia:	Si
If – prąd przewodzenia diody:	10 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	45 V
Vf – Napięcie przewodzenia:	500 mV
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	180 A
Ir – Prąd wsteczny:	50 uA
Minimalna temperatura robocza:	- 65 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	SBR1045
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Diodes Incorporated
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Rodzaj produktu:	Schottky Diodes & Rectifiers
Wielkość opakowania producenta:	1200
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr – napięcie wsteczne:	32 V
Jednostka masy:	1,200 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SBR1045SD1-T Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Automotive Super Barrier Rectifiers

Diodes Incorporated Automotive Super Barrier Rectifiers (SBR) are designed with patented Super Barrier Technology that provides superior avalanche capability. These Diodes Incorporated SBR rectifiers offer low forward voltage drop and are ideal for automotive applications. The automotive SBR diodes have a lead-free finish while qualified to the AEC-Q101 standard that delivers high reliability. These SBR rectifiers are available in 1A to 30A forward current range and 500mV to 0.7V forward voltage range.

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR^® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.