Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SBC846BPDW1T3G

Name: onsemi SBC846BPDW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-SBC846BPDW1T3G
Price: 1.29 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-SBC846BPDW1T3G

Nr prod.:

SBC846BPDW1T3G

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT NPN PNP Bipolar Transistor

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

SBC846BPDW1T3G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi SBC846BPDW1T3G

Na stanie magazynowym: 9 600

Stany magazynowe:: 9 600 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 32 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	1,29 zł	1,29 zł
	0,877 zł	8,77 zł
	0,555 zł	55,50 zł
	0,344 zł	172,00 zł
	0,254 zł	254,00 zł
	0,224 zł	560,00 zł
	0,198 zł	990,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)
	0,168 zł	1 680,00 zł
	0,151 zł	3 020,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-363-6
Polaryzacja tranzystora:	NPN, PNP
Konfiguracja:	Dual
Maksymalny prąd DC kolektora:	100 mA
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	65 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	80 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	6 V
Pd – strata mocy:	380 mW
Wzmacniacze GBP fT:	100 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	BC846BPDW1
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Ciągły prąd kolektora:	100 mA, - 100 mA
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	200
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	800
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	10000
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SBC846BPDW1T3G Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BC846BPDW1 Bipolar Transistors

onsemi BC846BPDW1 Bipolar Transistors are dual general-purpose transistors designed for low-power surface mount applications. These NPN/PNP transistors are housed in the SOT-363/SC-88 package. The BC846BPDW1 bipolar transistors are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and available in a PB-free package. These NPN/PNP transistors are halogen-free/BFR-free and are RoHS-compliant. The bipolar transistors are ideal for low-power surface mount applications.