Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RS3G160ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS3G160ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS3G160ATTB1
Price: 11.7 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RS3G160ATTB1

Nr prod.:

RS3G160ATTB1

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Karta charakterystyki:

RS3G160ATTB1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RS3G160ATTB1

Na stanie magazynowym: 9 839

Stany magazynowe:: 9 839 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	11,70 zł	11,70 zł
	7,61 zł	76,10 zł
	5,38 zł	538,00 zł
	4,56 zł	2 280,00 zł
	4,25 zł	4 250,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	3,86 zł	9 650,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOP-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	16 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	6.2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	120 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	2 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	210 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	65 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P - Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	260 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	24 ns
Nazwy umowne nr części:	RS3G160AT
Jednostka masy:	83 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RS3G160ATTB1 Karta charakterystyki

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RS3 Pch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RS3 Pch Power MOSFETs feature low on-resistance and are housed in a small surface-mount package. ROHM offers a wide voltage lineup from small signal products to 800V high voltage products. They can be used for various applications like power supplies and motor drive circuits.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.