Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RRR030P03HZGTL

Name: ROHM Semiconductor RRR030P03HZGTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RRR030P03HZGTL
Price: 2.81 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RRR030P03HZGTL

Nr prod.:

RRR030P03HZGTL

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT346T

Karta charakterystyki:

RRR030P03HZGTL Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RRR030P03HZGTL

Na stanie magazynowym: 1 143

Stany magazynowe:: 1 143

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 3 000

Oczekiwane: 16.03.2026
Średni czas produkcji:: 16

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2,81 zł	2,81 zł
	1,90 zł	19,00 zł
	1,31 zł	131,00 zł
	1,16 zł	580,00 zł
	1,02 zł	1 020,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,86 zł	2 580,00 zł
	0,808 zł	4 848,00 zł
	0,77 zł	6 930,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-346T-3
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	75 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	5.2 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	35 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	2.4 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	18 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	7 ns
Nazwy umowne nr części:	RRR030P03HZG
Jednostka masy:	12 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RRR030P03HZGTL Karta charakterystyki

Other

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RRR0x0P03HZG Small Signal Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG Small Signal Automotive MOSFETs are low on-resistance MOSFETs with built-in G-S protection diodes. These MOSFETs offer -30V drain-to-source voltage (V_DSS) and 1W power dissipation (P_D). The RRR030P03HZG MOSFET provides ±3A continuous drain current (I_D), and RRR040P03HZG MOSFET provides ±4A I_D. These MOSFETs are AEC-Q101 compliant and come with lead-free platings. ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG MOSFETs are available in a TSMT3 small surface-mount package and are suitable for DC/DC converters.