Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RQ3N025ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3N025ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3N025ATTB1
Price: 4.6 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RQ3N025ATTB1

Nr prod.:

RQ3N025ATTB1

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

RQ3N025ATTB1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RQ3N025ATTB1

Na stanie magazynowym: 2 610

Stany magazynowe:: 2 610 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,60 zł	4,60 zł
	2,89 zł	28,90 zł
	1,90 zł	190,00 zł
	1,48 zł	740,00 zł
	1,34 zł	1 340,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,17 zł	3 510,00 zł
	1,08 zł	6 480,00 zł
	1,04 zł	9 360,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSMT-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	7 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	240 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	13 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	14 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	15 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	2.4 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6.4 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8.6 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RQ3N025ATTB1 Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RQxAT P-Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor RQxAT P-Channel features surface mount packaging with low ON resistance and are 100% Rg and UIS tested. These P-channel MOSFETs offer a gate-source voltage of ±20V. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs feature a maximum drain-source ON resistance of 240mΩ and 99mΩ, respectively. These P-channel MOSFETs are RoHS compliant and halogen-free. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs offer a drain-source voltage of -80V and -60V, respectively. These P-channel MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching and motor drives.