Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RQ3G120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G120BJFRATCB
Price: 5.85 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RQ3G120BJFRATCB

Nr prod.:

RQ3G120BJFRATCB

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

RQ3G120BJFRATCB Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB

Na stanie magazynowym: 2 992

Stany magazynowe:: 2 992 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,85 zł	5,85 zł
	3,68 zł	36,80 zł
	2,45 zł	245,00 zł
	1,94 zł	970,00 zł
	1,76 zł	1 760,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,60 zł	4 800,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSMT-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	12 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	48 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 5 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	15.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	40 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	9.8 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	6.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	4.7 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	36 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	6.7 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RQ3G120BJFRATCB Karta charakterystyki

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Tranzystory mocy MOSFET RQ3xFRATCB

Motoryzacyjne tranzystory mocy MOSFET RQ3xFRATCB firmy ROHM Semiconductor posiadają certyfikat AEC-Q101. Charakteryzują się zakresem napięcia dren-źródło od -40 V do 100 V, 8 zaciskami, rozpraszaniem mocy do 69 W i ciągłym prądem drenu od ±12 A do ±27 A. Tranzystory mocy RQ3xFRATCB są dostępne w wersji z kanałem typu N i kanałem typu P. Tranzystory te zamknięte są w małych obudowach HSMT8AG o wymiarach 3,3 x 3,3 mm. Tranzystory mocy RQ3xFRATCB nadają się idealnie do zaawansowanych systemów wspomagania kierowcy (ADAS), systemów multimedialnych, oświetlenia oraz nadwozia.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.