Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RGPR20NL43HRTL

Name: ROHM Semiconductor RGPR20NL43HRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGPR20NL43HRTL
Price: 14.15 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RGPR20NL43HRTL

Nr prod.:

RGPR20NL43HRTL

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

IGBTs Transistor, IGBT, 430V +/- 30V, 20A

Karta charakterystyki:

RGPR20NL43HRTL Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RGPR20NL43HRTL

Na stanie magazynowym: 1 962

Stany magazynowe:: 1 962 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 22 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	14,15 zł	14,15 zł
	9,29 zł	92,90 zł
	6,49 zł	649,00 zł
	5,81 zł	2 905,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	5,20 zł	5 200,00 zł
	4,90 zł	9 800,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-263-3
Styl mocowania:	SMD/SMT
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	460 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	2.1 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	10 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	20 A
Pd – strata mocy:	107 W
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Prąd upływowy bramka–emiter:	1.2 mA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	IGBTs
Nazwy umowne nr części:	RGPR20NL43HR

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RGPR20NL43HRTL Karta charakterystyki (PDF)

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive Ignition IGBTs

ROHM Semiconductor Automotive Ignition IGBTs with low collector-emitter saturation voltage are suitable for the ignition coil and solenoid driver circuits. The IGBT transistors feature high self-clamped inductive switching energy, built-in gate-emitter protection diode, and built-in gate-emitter resistance. These IGBT transistors operate at -40ºC to 175ºC and -55ºC to 175ºC storage temperature. The devices are housed in 3-pin TO-252 and TO263S packages and are a highly reliable product for automotive.