Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RBR40NS30ATL

Name: ROHM Semiconductor RBR40NS30ATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RBR40NS30ATL
Price: 13.33 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RBR40NS30ATL

Nr prod.:

RBR40NS30ATL

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 40A, TO-263S (D2PAK)

Karta charakterystyki:

RBR40NS30ATL Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RBR40NS30ATL

Na stanie magazynowym: 945

Stany magazynowe:: 945 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	13,33 zł	13,33 zł
	8,43 zł	84,30 zł
	5,93 zł	593,00 zł
	5,38 zł	2 690,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	4,60 zł	4 600,00 zł
	4,52 zł	9 040,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Prostowniki i diody Schottky'ego
RoHS:
Produkt:	Schottky Diodes
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-263-3
Konfiguracja:	Dual Anode Common Cathode
Technologia:	Si
If – prąd przewodzenia diody:	40 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	30 V
Vf – Napięcie przewodzenia:	520 mV
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	100 A
Ir – Prąd wsteczny:	600 uA
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Rodzaj produktu:	Schottky Diodes & Rectifiers
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr – napięcie wsteczne:	30 V
Nazwy umowne nr części:	RBR40NS30A

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RBR40NS30ATL Karta charakterystyki

Other

Dimensions (PDF)

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

RoHS (PDF)

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RBR40NS Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBR40NS Schottky Barrier Diodes are designed for use in switching power supplies and feature 100A peak forward surge current. These diodes offer high reliability, low forward voltage, and 40A average rectified forward current. The RBR40NS Schottky barrier diodes are available in three variants with 30V, 40V, and 60V repetitive peak reverse voltages. These diodes are designed using silicon epitaxial planar type construction and come in a TO-263AB (D2PAK) package. The RBR40NS Schottky barrier diodes are RoHS compliant and operate within the -55°C to 150°C temperature range.

RBRxx30ATL Low VF Type Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx30ATL Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type low V_F diodes with 30V reverse direct voltage (V_R). These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and come in either TO-263S (D²PAK) or TO-252 (DPAK) packages. ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ barrier diodes offer low V_F, high reliability, and operate at -55°C to +150°C temperature range. These Schottky barrier diodes are ideally suited for switching power supplies and general rectification.