Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

R8002KNXC7G

Name: ROHM Semiconductor R8002KNXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8002KNXC7G
Price: 10.19 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-R8002KNXC7G

Nr prod.:

R8002KNXC7G

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch

Karta charakterystyki:

R8002KNXC7G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor R8002KNXC7G

Na stanie magazynowym: 951

Stany magazynowe:: 951 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	10,19 zł	10,19 zł
	5,07 zł	50,70 zł
	4,56 zł	456,00 zł
	3,66 zł	1 830,00 zł
	3,46 zł	3 460,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220FM-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	800 V
Id – Ciągły prąd drenu:	1.6 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	4.2 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	7.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	28 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	100 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	16 ns
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	34 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15 ns
Nazwy umowne nr części:	R8002KNX

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

R8002KNXC7G Karta charakterystyki

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

R8002KN N-Channel 800V 1.6A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R8002KN N-Channel 800V 1.6A Power MOSFETs are low on-resistance devices with fast switching. The R8002KN features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs have parallel use that is easy to use.