Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

R8001CND3FRATL

Name: ROHM Semiconductor R8001CND3FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8001CND3FRATL
Price: 11.7 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-R8001CND3FRATL

Nr prod.:

R8001CND3FRATL

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect

Karta charakterystyki:

R8001CND3FRATL Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor R8001CND3FRATL

Na stanie magazynowym: 3 165

Stany magazynowe:: 3 165 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 23 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	11,70 zł	11,70 zł
	7,61 zł	76,10 zł
	5,29 zł	529,00 zł
	4,47 zł	2 235,00 zł
	4,11 zł	4 110,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	3,79 zł	9 475,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-252-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	800 V
Id – Ciągły prąd drenu:	1 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	8.7 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5.5 V
Qg – ładunek bramki:	7.2 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	36 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	137 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	21 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	33 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	20 ns
Nazwy umowne nr części:	R8001CND3FRA
Jednostka masy:	330 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

R8001CND3FRATL Karta charakterystyki

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

R800xxND3FRA N-Channel Automotive Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R800xxND3FRA N-Channel Automotive Power MOSFETs are low on-resistance MOSFETs with simple drive circuits. These MOSFETs feature fast switching speed, lead-free plating, and are AEC-Q101 qualified. The R800xxND3FRA MOSFETs are available in DPAK (TO-252) packages. ROHM Semiconductor R800xxND3FRA MOSFETs are suitable for switching power supplies.