Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

QH8ME5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8ME5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8ME5TCR
Price: 4.43 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-QH8ME5TCR

Nr prod.:

QH8ME5TCR

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs 100V 2A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

Karta charakterystyki:

QH8ME5TCR Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor QH8ME5TCR

Na stanie magazynowym: 2 745

Stany magazynowe:: 2 745 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,43 zł	4,43 zł
	2,79 zł	27,90 zł
	1,76 zł	176,00 zł
	1,42 zł	710,00 zł
	1,29 zł	1 290,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,12 zł	3 360,00 zł
	1,04 zł	6 240,00 zł
	0,993 zł	8 937,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TSMT-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel, P-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	2 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	202 mOhms, 270 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	2.8 nC, 19.7 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.5 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	5 ns, 48 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	1.3 S, 3.2 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6 ns, 7 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	15 ns, 105 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	6 ns, 7.3 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs

ROHM Semiconductor QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs support 40V, 60V, or 100V withstand voltages. This series is designed for 24V input equipment such as factory automation equipment, and motors mounted on base stations (cooling fans). The QH8K devices consist of a low on-resistance Nch MOSFET, which is reduced by 58% compared to conventional ROHM products. This results in low power consumption of components. These MOSFETs come in a small, surface-mount TSMT8 package with eight terminals and Pb-free plating. ROHM Semiconductor QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs are ideal for switching and motor drive applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.