Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

QH8JC5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JC5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JC5TCR
Price: 6.41 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-QH8JC5TCR

Nr prod.:

QH8JC5TCR

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

Karta charakterystyki:

QH8JC5TCR Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor QH8JC5TCR

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 15 900

Oczekiwane: 11.05.2026
Średni czas produkcji:: 16

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,41 zł	6,41 zł
	4,25 zł	42,50 zł
	2,85 zł	285,00 zł
	2,25 zł	1 125,00 zł
	2,06 zł	2 060,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,81 zł	5 430,00 zł
	1,75 zł	10 500,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TSMT-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3.5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	91 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, 10 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	17.3 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.5 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	43 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	10 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 P - Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	82 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9.2 ns
Nazwy umowne nr części:	QH8JC5
Jednostka masy:	10 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

QH8JC5TCR Karta charakterystyki

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

QH8J Pch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor QH8J Pch Power MOSFETs feature low on-resistance and are housed in a high power small mold package (TSMT8). ROHM offers a wide voltage lineup from small signal products to 800V high voltage products. They can be used for various applications like power supplies and motor drive circuits.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.