Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

QH8JB5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JB5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JB5TCR
Price: 6.11 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-QH8JB5TCR

Nr prod.:

QH8JB5TCR

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

Karta charakterystyki:

QH8JB5TCR Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor QH8JB5TCR

Na stanie magazynowym: 4 044

Stany magazynowe:: 4 044 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,11 zł	6,11 zł
	3,69 zł	36,90 zł
	2,81 zł	281,00 zł
	2,25 zł	1 125,00 zł
	2,06 zł	2 060,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,81 zł	5 430,00 zł
	1,75 zł	10 500,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TSMT-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	41 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, 10 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	17.2 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.5 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	43 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	18 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 - P Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	82 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9.2 ns
Nazwy umowne nr części:	QH8JB5
Jednostka masy:	10 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

QH8JB5TCR Karta charakterystyki

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

QH8J Pch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor QH8J Pch Power MOSFETs feature low on-resistance and are housed in a high power small mold package (TSMT8). ROHM offers a wide voltage lineup from small signal products to 800V high voltage products. They can be used for various applications like power supplies and motor drive circuits.