Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

PSMN7R0-30YL,115

Name: Nexperia PSMN7R0-30YL,115
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN7R0-30YL-T/R
Price: 4.14 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-PSMN7R0-30YL-T/R

Nr prod.:

PSMN7R0-30YL,115

Produc.:

Nexperia

Opis:

MOSFETs PSMN7R0-30YL/SOT669/LFPAK

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

PSMN7R0-30YL,115 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Nexperia PSMN7R0-30YL,115

Na stanie magazynowym: 683

Stany magazynowe:: 683 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 2 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	4,14 zł	4,14 zł
	2,60 zł	26,00 zł
	2,39 zł	119,50 zł
	1,70 zł	170,00 zł
	1,32 zł	660,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	1,13 zł	1 695,00 zł
	1,04 zł	3 120,00 zł
	0,989 zł	4 450,50 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Nexperia
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-669-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	76 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.3 V
Qg – ładunek bramki:	22 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	51 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Nexperia
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	934063077115
Jednostka masy:	91,420 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

PSMN7R0-30YL,115 Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I²PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment.

PSMN MOSFETs in LFPAK Package

Nexperia PSMN MOSFETs in LFPAK Package are logic level N-channel devices in an LFPAK package qualified to 150°C. These MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The PSMN MOSFETs in LFPAK feature advanced TrenchMOS architecture for low R_DSon and low gate charge. These PSMN MOSFETs in LFPAK also provide high-efficiency gains in switching power converters.