Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

PSMN1R9-40YSBX

Name: Nexperia PSMN1R9-40YSBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R9-40YSBX
Price: 7.4 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-PSMN1R9-40YSBX

Nr prod.:

PSMN1R9-40YSBX

Produc.:

Nexperia

Opis:

MOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A

Karta charakterystyki:

PSMN1R9-40YSBX Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Nexperia PSMN1R9-40YSBX

Na stanie magazynowym: 1 945

Stany magazynowe:: 1 945 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 1945 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7,40 zł	7,40 zł
	4,73 zł	47,30 zł
	3,22 zł	322,00 zł
	2,58 zł	1 290,00 zł
	2,17 zł	2 170,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Nexperia
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	Power-SO8-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	200 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.9 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.6 V
Qg – ładunek bramki:	56 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	194 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Nexperia
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	13 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	11 ns
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	N-Channel TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	33 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15 ns
Nazwy umowne nr części:	934665891115

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs are housed in highly efficient and space-saving LFPAK56 packages. These MOSFETs are Avalanche-rated. The NextPowerS3 MOSFETs support a maximum junction temperature of +175°C. These MOSFETs are EU RoHS-compliant. The NextPowerS3 MOSFETs feature a peak soldering temperature of +260°C and a -55°C to +175°C storage temperature range. Typical applications include DC-to-DC converters and brushless DC motor control.