Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

PSMN1R8-80SSFJ

Name: Nexperia PSMN1R8-80SSFJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R8-80SSFJ
Price: 30.49 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-PSMN1R8-80SSFJ

Nr prod.:

PSMN1R8-80SSFJ

Produc.:

Nexperia

Opis:

MOSFETs SOT1235 N-CH 80V 270A

Karta charakterystyki:

PSMN1R8-80SSFJ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Nexperia PSMN1R8-80SSFJ

Na stanie magazynowym: 1 101

Stany magazynowe:: 1 101 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	30,49 zł	30,49 zł
	20,77 zł	207,70 zł
	18,53 zł	926,50 zł
	15,65 zł	1 565,00 zł
	14,66 zł	14 660,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	9,46 zł	18 920,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Nexperia
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-1235-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	270 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	148 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	341 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Nexperia
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	45 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	33 ns
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	90 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	40 ns
Nazwy umowne nr części:	934662271118

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

PSMN1R8-80SSFJ Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NextPower 80/100V MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs are recommended for high-efficiency switching and high-reliability applications. The NextPower MOSFETs feature 50% lower R_DS(on) and a strong avalanche energy rating. The devices are ideally suited for power supply, telecom, industrial designs, USB-PD Type-C chargers and adapters, and 48V DC-DC adapters. The devices have low body diode losses with Q_rr down to 50 nano-coulombs (nC). This results in lower reverse recovery current (I_RR), lower voltage spikes (V_peak), and reduced ringing for further optimized dead time.