PMDXB950UPEZ

Nexperia
771-PMDXB950UPEZ
PMDXB950UPEZ

Produc.:

Opis:
MOSFETs PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
5 000
Oczekiwane: 08.02.2027
Średni czas produkcji:
8
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
1,85 zł 1,85 zł
1,14 zł 11,40 zł
0,727 zł 72,70 zł
0,542 zł 271,00 zł
0,434 zł 434,00 zł
0,43 zł 1 075,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
0,361 zł 1 805,00 zł
0,318 zł 3 180,00 zł
0,31 zł 7 750,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Nexperia
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
P-Channel
2 Channel
20 V
500 mA
5 Ohms
- 8 V, 8 V
450 mV
2.1 nC
- 55 C
+ 150 C
380 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Nexperia
Konfiguracja: Dual
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: MY
Czas zanikania: 6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 480 mS
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 5 ns
Wielkość opakowania producenta: 5000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 2 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 13.5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 2.3 ns
Nazwy umowne nr części: 934067656147
Jednostka masy: 1,200 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.