Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

PMDXB600UNEZ

Name: Nexperia PMDXB600UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB600UNEZ
Price: 1.66 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-PMDXB600UNEZ

Nr prod.:

PMDXB600UNEZ

Produc.:

Nexperia

Opis:

MOSFETs PMDXB600UNE/SOT1216/DFN1010B-6

Karta charakterystyki:

PMDXB600UNEZ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Nexperia PMDXB600UNEZ

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 24 993

Oczekiwane: 08.02.2027
Średni czas produkcji:: 8

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	1,66 zł	1,66 zł
	0,869 zł	8,69 zł
	0,581 zł	58,10 zł
	0,331 zł	165,50 zł
	0,258 zł	258,00 zł
	0,249 zł	622,50 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	0,215 zł	1 075,00 zł
	0,189 zł	1 890,00 zł
	0,172 zł	4 300,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Nexperia
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-1010-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	600 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3 Ohms, 3 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	450 mV
Qg – ładunek bramki:	400 pC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	380 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Nexperia
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	51 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	1 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	9.2 ns
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5.6 ns
Nazwy umowne nr części:	934067655147
Jednostka masy:	1,200 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.