PMDXB600UNELZ

Nexperia
771-PMDXB600UNELZ
PMDXB600UNELZ

Produc.:

Opis:
MOSFETs SOT1216 2NCH 20V .6A

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Nexperia PMDXB600UNELZ

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
9 200
Oczekiwane: 08.02.2027
Średni czas produkcji:
8
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
1,29 zł 1,29 zł
0,783 zł 7,83 zł
0,49 zł 49,00 zł
0,366 zł 183,00 zł
0,288 zł 288,00 zł
0,28 zł 700,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
0,237 zł 1 185,00 zł
0,215 zł 2 150,00 zł
0,198 zł 4 950,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Nexperia
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
N-Channel
2 Channel
20 V
600 mA
470 mOhms, 470 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
700 pC
- 55 C
+ 150 C
380 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Nexperia
Konfiguracja: Dual
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: MY
Czas zanikania: 51 ns, 51 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 1 S, 1 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 9.2 ns, 9.2 ns
Wielkość opakowania producenta: 5000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 19 ns, 19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 5.6 ns, 5.6 ns
Nazwy umowne nr części: 934070432147
Jednostka masy: 1,217 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Application Notes

PCN

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

PMDXB600UNEL 20V Dual N-Channel Trench MOSFET

Nexperia PMDXB600UNEL 20V Dual N-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) housed in a leadless ultrasmall surface-mounted plastic package. The PMDXB600UNEL features a low leakage current, and an exposed drain pad for excellent thermal conduction. Typical applications include relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.