PMDXB1200UPEZ

Nexperia
771-PMDXB1200UPEZ
PMDXB1200UPEZ

Produc.:

Opis:
MOSFETs PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
15 140
Oczekiwane: 08.02.2027
Średni czas produkcji:
8
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
1,78 zł 1,78 zł
1,09 zł 10,90 zł
0,692 zł 69,20 zł
0,516 zł 258,00 zł
0,413 zł 413,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
0,357 zł 1 785,00 zł
0,331 zł 3 310,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Nexperia
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
P-Channel
2 Channel
30 V
410 mA
1.4 Ohms
- 8 V, 8 V
950 mV
1.2 nC
- 55 C
+ 150 C
410 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Nexperia
Konfiguracja: Dual
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: MY
Rodzaj produktu: MOSFETs
Wielkość opakowania producenta: 5000
Podkategoria: Transistors
Nazwy umowne nr części: 934069327147
Jednostka masy: 1,229 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.