Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

PMCB60XNEZ

Name: Nexperia PMCB60XNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMCB60XNEZ
Price: 2.44 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-PMCB60XNEZ

Nr prod.:

PMCB60XNEZ

Produc.:

Nexperia

Opis:

MOSFETs SOT8026 N-CH 30V 3.5A

Karta charakterystyki:

PMCB60XNEZ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Nexperia PMCB60XNEZ

Na stanie magazynowym: 8 307

Stany magazynowe:: 8 307 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2,44 zł	2,44 zł
	1,50 zł	15,00 zł
	1,32 zł	66,00 zł
	0,963 zł	96,30 zł
	0,959 zł	191,80 zł
	0,727 zł	363,50 zł
	0,589 zł	589,00 zł
	0,52 zł	2 600,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)
	0,52 zł	5 200,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Nexperia
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DSN10063-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	4.3 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	55 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 12 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.1 V
Qg – ładunek bramki:	5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Nexperia
Czas zanikania:	74 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	6.7 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	40 ns
Wielkość opakowania producenta:	10000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	107 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	20 ns
Nazwy umowne nr części:	934662892326

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

PMCB60XNEZ Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables

Nexperia Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables offer WLCSP and leadless DFN packages for mobile and portable applications. The Nexperia SSMOS packages provide an extremely small DFN solution in today's commonly used pitch size of 0.35mm. An ideal replacement solution where space is paramount, these ultra-small packages offer significant space efficiency while providing minimal effort on assembly adjustment. Available in both N-channel and P-channel, all parts are equipped with ESD protection of >2kV and with a high power capability of >1300mW.