PJQ5524_R2_00201 Układy MOSFET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Karta charakterystyki
2 996Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 85 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 41.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit PJQ5524-R2-00201
Panjit Układy MOSFET DFN5060 N-CH 30V 85A
Karta charakterystyki
N/A