PJQ4433EP_R2_00201 Układy MOSFET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 62 A 8.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 150 C 54.3 W Enhancement Reel
Panjit PJQ4433EP-R2-00201
Panjit Układy MOSFET
Karta charakterystyki
N/A