PJD30N15_L2_00001 Układy MOSFET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 90 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Reel
Panjit Układy MOSFET TO252 150V 25A N-CH N/A

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 90 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement