Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NXH007F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH007F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H007F120M3F2PTHG
Price: 644.05 PLN
Availability: InStock

Nr Mouser:

863-H007F120M3F2PTHG

Nr prod.:

NXH007F120M3F2PTHG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFET Modules 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NXH007F120M3F2PTHG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NXH007F120M3F2PTHG

Na stanie magazynowym: 23

Stany magazynowe:: 23 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	644,05 zł	644,05 zł
	618,56 zł	6 185,60 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Press Fit
Opakowanie/obudowa:	PIM-34
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	149 A
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.72 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	353 W
Seria:	NXH007F120M3F2PTHG
Opakowanie:	Tray
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Full Bridge
Czas zanikania:	13.2 ns
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	12 ns
Wielkość opakowania producenta:	20
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Rodzaj:	Full Bridge
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	121.6 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	37.2 ns
Vf – Napięcie przewodzenia:	5.03 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NXH007F120M3F2PTHG Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tranzystory MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

Tranzystory MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1 firmy onsemi to moduły zasilania z pełnym mostkiem i termistorem w obudowie F1. Te tranzystory MOSFET są wyposażone w termistory i styki wciskane. Moduły NXH0x0F120MNF1 występują zarówno w wersji z nałożonym materiałem termoprzewodzącym (TIM), jak i bez niego. Moduły te nadają się idealnie do stosowania w falownikach fotowoltaicznych, zasilaczach awaryjnych, stacjach ładowania pojazdów elektrycznych oraz w energetyce przemysłowej. Moduły NXH0x0F120MNF1 nie zawierają związków ołowiu i halogenków oraz są zgodne z dyrektywą RoHS. Moduły te charakteryzują się zakresem temperatur przechowywania od -40°C do 150°C oraz zakresem temperatur złącza roboczego od -40°C do 175°C.