Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVMFWS0D63N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS0D63N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS0D63N04XMT1G
Price: 13.8 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-MFWS0D63N04XMT1G

Nr prod.:

NVMFWS0D63N04XMT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NVMFWS0D63N04XMT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMFWS0D63N04XMT1G

Na stanie magazynowym: 276

Stany magazynowe:: 276

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 1 500

Oczekiwane: 08.05.2026

1 500

Do ustalenia
Średni czas produkcji:: 52

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	13,80 zł	13,80 zł
	8,99 zł	89,90 zł
	7,05 zł	705,00 zł
	5,93 zł	2 965,00 zł
	5,42 zł	5 420,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	5,07 zł	7 605,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFNW-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	384 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	600 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	92.2 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	157 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	7.3 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	174 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	9 ns
Seria:	NVMFWS0D63N04XM
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	47 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	28 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMFWS0D63N04XMT1G Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.