NVMFS6H800NT1G

onsemi
863-NVMFS6H800NT1G
NVMFS6H800NT1G

Produc.:

Opis:
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 14 874

Stany magazynowe:
14 874 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
21,67 zł 21,67 zł
14,66 zł 146,60 zł
10,62 zł 1 062,00 zł
10,45 zł 5 225,00 zł
10,36 zł 10 360,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
8,90 zł 13 350,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
80 V
203 A
2.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: onsemi
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 85 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 138 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 89 ns
Seria: NVMFS6H800N
Wielkość opakowania producenta: 1500
Podkategoria: Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 97 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 25 ns
Jednostka masy: 750 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVMFS6H8x Power MOSFETs

onsemi NVMFS6H8x Power MOSFETs offer 80V, single N-channel, and a small footprint for a compact design. These power MOSFETs are available in 2.1mΩ, 2.8mΩ, 3.7mΩ, and 3.2mΩ RDS(on) resistance ranges. Features include low RDS(on) to minimize conduction losses, low QG, and low capacitance. The NVMFS6H8x power MOSFETs are RoHS compliant, PPAP capable, and AEC-Q101 qualified. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C operating temperature range.

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).