Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTTFSSCH0D7N02X

Name: onsemi NTTFSSCH0D7N02X
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH0D7N02X
Price: 9.5 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTTFSSCH0D7N02X

Nr prod.:

NTTFSSCH0D7N02X

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTTFSSCH0D7N02X Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTTFSSCH0D7N02X

Na stanie magazynowym: 1 908

Stany magazynowe:: 1 908 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	9,50 zł	9,50 zł
	6,15 zł	61,50 zł
	4,39 zł	439,00 zł
	3,66 zł	1 830,00 zł
	3,48 zł	3 480,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	2,96 zł	14 800,00 zł
	2,89 zł	28 900,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	WDFN-9
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	25 V
Id – Ciągły prąd drenu:	310 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	580 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 16 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	33 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	87 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	57 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	190 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6 ns
Seria:	NTTFSSCH0D7N02X
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	26 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	4 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTTFSSCH0D7N02X Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.