NTTFS2D1N04HLTWG

onsemi
863-NTTFS2D1N04HLTWG
NTTFS2D1N04HLTWG

Produc.:

Opis:
MOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi NTTFS2D1N04HLTWG

Na stanie magazynowym: 7 022

Stany magazynowe:
7 022 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
7,10 zł 7,10 zł
4,56 zł 45,60 zł
3,06 zł 306,00 zł
2,43 zł 1 215,00 zł
2,26 zł 2 260,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
2,10 zł 6 300,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
1 Channel
40 V
150 A
2.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
43.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: onsemi
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: PH
Rodzaj produktu: MOSFETs
Seria: NTTFS2D1N04HL
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

PCN

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

NTTFSxD1N0xHL N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi NTTFSxD1N0xHL N-Channel PowerTrench® MOSFETs employ high-performance Shielded Gate MOSFET technology for extremely low RDS(on). These onsemi single-channel MOSFETs offer low switching noises/EMI and 100% UIL-tested MSL1 robust package design. The NTTFSxD1N0xHL MOSFETs are available in a lead-free, halogen-free/BFR-free, and RoHS compliant WDFN8 package. Typical applications include DC−DC buck converters, point of load, high-efficiency load switch and low-side switching, ORing FETs, DC-DC power supplies, and MV synchronous buck converters.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.