Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTP011N15MC

Name: onsemi NTP011N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP011N15MC
Price: 8.6 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTP011N15MC

Nr prod.:

NTP011N15MC

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220

Karta charakterystyki:

NTP011N15MC Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTP011N15MC

Na stanie magazynowym: 747

Stany magazynowe:: 747

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 800

Oczekiwane: 02.03.2026
Średni czas produkcji:: 24

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,60 zł	8,60 zł
	6,79 zł	67,90 zł
	6,41 zł	641,00 zł
	5,85 zł	2 925,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	74.3 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	10.9 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	37 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	136.4 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	NTP011N15MC
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTP011N15MC Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel and offer optimized switching performance. This MOSFET features a low reverse recovery charge (Qrr) and soft body diode for superior low-noise switching. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs provide high efficiency with lower switching spikes and electromagnetic interference (EMI). They improve the switching Figure of Merit (FOM). Typical applications include synchronous rectification for ATX/server/telecom power-supply units (PSUs), motor drives, uninterruptible power supplies (UPS), and micro solar inverters.