Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMFS7D5N15MC

Name: onsemi NTMFS7D5N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS7D5N15MC
Price: 18.92 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMFS7D5N15MC

Nr prod.:

NTMFS7D5N15MC

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

Karta charakterystyki:

NTMFS7D5N15MC Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMFS7D5N15MC

Na stanie magazynowym: 2 858

Stany magazynowe:: 2 858 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 33 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	18,92 zł	18,92 zł
	13,07 zł	130,70 zł
	9,37 zł	937,00 zł
	8,99 zł	4 495,00 zł
	8,73 zł	8 730,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	7,61 zł	22 830,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PQFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	95.6 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	7.9 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	46 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	166.7 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	5 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	91 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6 ns
Seria:	NTMFS7D5N15MC
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	32 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	27 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMFS7D5N15MC Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel MOSFETs that minimize on-state resistance and maintain superior switching performance with best-in-class soft body diode. These MOSFET offers lower Q_rr compared to other MOSFETs. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs lower switching noise/electromagnetic interference (EMI). These MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. The Shielded Gate PowerTrench MOSFETs come in a small PQFN8 package with 5mm x 6mm dimensions for compact designs. Typical applications include synchronous rectification (SR), AC-DC and DC-DC power supplies, AC-DC adapters (USB Power Delivery) SR, and load switches.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

NTMFS7D5N15MC Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

onsemi NTMFS7D5N15MC N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with a best-in-class soft-body diode. The onsemi NTMFS7D5N15MC lowers switching noise, EMI, capacitance (to minimize driver losses), and R_DS(on) (to minimize conduction losses).