Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMFS6D2N08XT1G

Name: onsemi NTMFS6D2N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS6D2N08XT1G
Price: 5.33 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMFS6D2N08XT1G

Nr prod.:

NTMFS6D2N08XT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTMFS6D2N08XT1G Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMFS6D2N08XT1G

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 1 500

Oczekiwane: 17.04.2026
Średni czas produkcji:: 23

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,33 zł	5,33 zł
	3,37 zł	33,70 zł
	2,23 zł	223,00 zł
	1,76 zł	880,00 zł
	1,59 zł	1 590,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	1,46 zł	2 190,00 zł
	1,32 zł	3 960,00 zł
	1,27 zł	11 430,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	73 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	6.2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.6 V
Qg – ładunek bramki:	19 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	68 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	24 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	48 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	19 ns
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	15 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	10 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMFS6D2N08XT1G Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

T10 Low/Medium Voltage MOSFETs

onsemi T10 Low/Medium Voltage MOSFETs are single N-channel power MOSFETs in 40V and 80V categories with improved performance, enhanced system efficiency, and high power density. These power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The T10 low/medium voltage MOSFETs provide low Q_RRand a soft recovery body diode. These MOSFETs comply with the RoHS and are Pb-free and Halogen-free/BFR-free. Typical applications include Synchronous Rectification (SR) in DC-DC and AC-DC converters, the primary switch in an isolated DC-DC converter, battery protection, and motor drives.